Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 35 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326709
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP35R12N2T7BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 35 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż w obudowie
Typ kanału = N
Liczba styków = 23
Konfiguracja tranzystora = 3-fazy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
35 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
7
Konfiguracja:
3-fazowe
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż w obudowie
Typ kanału:
N
Liczba styków:
23
Konfiguracja tranzystora:
3-fazy
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2326709, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP35R12N2T7BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 2 690,30*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 269,03* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 2 977,02*
PLN 3 661,7346
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 2 811,66*
PLN 3 458,3418
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 2 768,11*
PLN 3 404,7753
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 2 728,11*
PLN 3 355,5753
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 2 690,30*
PLN 3 309,069
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.