Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 948 ofert spośród 5 014 162 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 110 W Typ opakowania = TO-263-3
Infineon
IKB10N60TATMA1
od PLN 2,493*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; SO8; 10kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: SO8 Czas załączania: 50ns Czas wyłączania: 50ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Cena jednostkowa: Nie Szy...
Broadcom
HCPL-0302-000E
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 7,362*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 1...
Powersem
PSI 100/06
od PLN 133,35*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-263-3 110 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-263-3
Infineon
IKB10N60TATMA1
od PLN 2,504*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB126D 22890630
od PLN 470,52*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
od PLN 2,469*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB066D 21915520
od PLN 861,84*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 7,907*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 5,3kV; Gull wing 8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 5,3kV Cena jednostkowa: Nie #Akcje #promocyjne: aac_202202 Typ optoizolatora: ...
Vishay
VO3150A-X007T
od PLN 2,339*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = O...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65CHRC11
od PLN 34,505*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM145GB066D 22890045
od PLN 280,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247 Wspólny nadajnik kanał: N 260 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 260 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB
od PLN 207,5802*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-34MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora...
Infineon
BSM200GB60DLC
od PLN 339,13*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
od PLN 5,991*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.