Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 954 ofert spośród 4 918 545 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB17E4 22895060
od PLN 806,32*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 95 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKWH30N65WR5XKSA1
od PLN 153,24*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB12T4 22892020
od PLN 259,80*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247 Wspólny nadajnik kanał: N 260 W (1 Oferta) 
Układ IGBT STMicroelectronics o wysokiej prędkości został opracowany przy użyciu Advanced, opatentowanej konstrukcji ogranicznika przekopu. Urządzenie jest częścią nowej serii HB tranzystorów IGBT,...
ST Microelectronics
STGWA30HP65FB
od PLN 10,997*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; THT; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; DIP8; 35kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: THT Obudowa: DIP8 Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączania: 0,1µs Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Cena jednostkowa: Nie ...
Broadcom
ACPL-312T-000E
od PLN 14,36*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
od PLN 5,145*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; THT; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; Uizol: 3,75kV; Uce: 30V (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: DIP8 Napięcie kolektor-emiter: 30V Prąd kolektora: 3mA Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Cena jednostkowa: Nie Szybk...
Toshiba
TLP352(F)
od PLN 3,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
od PLN 4,719*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-34MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora...
Infineon
BSM200GB60DLC
od PLN 339,53*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
od PLN 16,648*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V3 62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie: 350...
HUAJING
HFGM150D12V3
od PLN 247,35*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 95 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 95 W Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu ...
Infineon
IKWH30N65WR5XKSA1
od PLN 5,651*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; THT; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; Uizol: 3,75kV; Uce: 30V (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: DIP8 Napięcie kolektor-emiter: 30V Prąd kolektora: 2mA Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Cena jednostkowa: Nie Szybk...
Toshiba
TLP351H(F)
od PLN 2,859*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 1 101,395*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 11A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 60W Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkowa...
Infineon
IRG4PH20KPBF
od PLN 7,42*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.