Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 965 ofert spośród 4 920 512 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-252 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IPD5N25S3430ATMA1
od PLN 3,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 83mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W P...
Infineon
SPW47N60CFDFKSA1
od PLN 48,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.0127 Ω (1 Oferta) 
Ten tranzystor Infineon OptiMOS MOSFET zapewnia wysoką wydajność prądów oraz najniższe straty mocy przełączania i przewodzenia, co zapewnia najwyższą wydajność termiczną. Jest w 100% testowany Aval...
Infineon
IPD50N06S2L13ATMA2
od PLN 3,724*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT26N60P
od PLN 22,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,2 A TSSOP-8 20 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = TSSOP-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI6968BEDQ-T1-E3
od PLN 1,627*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48,1A; Idm: 228A; 543W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 543W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FCH76N60N
od PLN 65,12*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A D2PAK (TO-263) 700 V SMD 0.041 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
IPB65R041CFD7ATMA1
od PLN 26,272*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34F60B
od PLN 53,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5 A TO-263 850 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIHB6N80AE-GE3
od PLN 4,902*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 3,7A; 42W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryza...
Diodes
DMG3N60SCT
od PLN 1,59*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.012 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
IPD50N06S4L12ATMA2
od PLN 2,255*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 5,3 A D2PAK (TO-263) 1700 V SMD Pojedynczy 78 W 1.4 Ω (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C2M1000170J
od PLN 32,783*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW60R037P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPW60R037P7XKSA1
od PLN 21,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 50 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 50 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na u...
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
od PLN 5,084*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 624W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M60S
od PLN 54,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   881   882   883   884   885   886   887   888   889   890   891   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.