Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 671/1 532)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1003RBLLG

od PLN 35,68*
za szt.

Infineon IPG20N06S4-15A tranzystor 60 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N06S415AATMA1

od PLN 11,80*
za 5 szt.

MOSFET N-kanałowy 2,5 A SOT-346T 45 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzen...

ROHM Semiconductor

RTR025N05HZGTL

od PLN 3 275,46*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3 (1 Oferta)

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W ...

Infineon

IPB083N15N5LF

od PLN 17,62*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 20 A D2PAK (TO-263) 650 V SMD Pojedynczy 162 W 190 miliomów (1 Oferta)

SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję ...

onsemi

NVB190N65S3F

od PLN 11,187*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 2,5 A LBB 90 V SMD 1 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 90 V Seria = RF3L05150CB4 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źró...

ST Microelectronics

RF3L05150CB4

od PLN 628,344*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8M100B

od PLN 18,16*
za szt.

Infineon IPG20N10S4L-22 tranzystor 75 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N10S4L22ATMA1

od PLN 15,415*
za 5 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; D3PAK (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT18M100S

od PLN 42,39*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 2,5 A TO-220AB 500 V Pojedynczy 50 W 3 omy (3 ofert)

MOSFET, MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRF820PBF

od PLN 1,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 69ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W ...

IXYS

IXFP76N15T2

od PLN 11,20*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 20 A DFN 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy

onsemi

NTMFS6H824NT1G

od PLN 3,746*
za szt.

Infineon IPN80R2K4P7 tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPN80R2K4P7ATMA1

od PLN 1,154*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 41ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...

IXYS

IXTP6N100D2

od PLN 23,37*
za szt.

Infineon IPG20N04S4-08A tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

IPG20N04S408AATMA1

od PLN 15 329,65*
za 5 000 szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 671 672 673 674 675 676 677 678 679 680 681 .. 1532 Dalej

Tranzystory MOSFET (22 967 ofert spośród 4 920 195 artykułów)

"Tranzystor MOSFET"