Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 967 ofert spośród 4 920 287 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 2,6 A SOT-323 30 V SMD 0.6 O. (2 ofert) 
Seria DiodesZetex DMN3060LWQ to N-kanałowy MOSFET. Jest używany w przełączniku ogólnego przeznaczenia, funkcjach zarządzania energią i przełączniku analogowym.Niska pojemność wejściowa Wysoka szybk...
Diodes
DMN3060LWQ-7
od PLN 0,232*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Mate...
ST Microelectronics
STP65N150M9
od PLN 9,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTX22N100L
od PLN 136,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,9 A SOT-323 20 V SMD 0.56 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = DMN2053UW Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Diodes
DMN2053UWQ-7
od PLN 1,195*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 18V; 0,25A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: 18V Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
TN2501N8-G
od PLN 3,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
IPG20N06S4L26ATMA1
od PLN 2,383*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,1 A TO-247AC 1000 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1000 V Typ opakowania = TO-247AC Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRFPG30PBF
od PLN 5,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,7 A SOT-323 30 V SMD 0.6 O. (1 Oferta) 
Seria DiodesZetex DMN3061SW to N-kanałowy MOSFET. Jest używany w przełączniku ogólnego przeznaczenia, funkcjach zarządzania energią i przełączniku analogowym.Niska pojemność wejściowa Wysoka szybko...
Diodes
DMN3061SW-7
od PLN 1,36*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 FULLPAK 60 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-220 FULLPAK Typ montażu = Otwór przezierny
Vishay
IRLIZ34GPBF
od PLN 3,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 23A; Idm: 140A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,33Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT37M100L
od PLN 87,16*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A DFN 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy
onsemi
NTMFS5C645NT1G
od PLN 8,526*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,1A; 25W; TO220AB; 2ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 2ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Pol...
IXYS
IXTP01N100D
od PLN 17,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A SuperSO8 5 x 6 podwójny 100 V SMD 0.036 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IPG20N10S436AATMA1
od PLN 3,915*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 86W; TO252; 800ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...
IXYS
IXTY2N100P
od PLN 6,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,7 A, 4,3 A. TO-220 FP 650 V 0,7 oma (2 ofert) 
Vishay SiHA690N60E-GE3 to tranzystor MOSFET serii E.Technologia czwartej generacji serii E. Niska wartość merytoryczną Niska efektywna pojemność Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia Klasa...
Vishay
SiHA690N60E-GE3
od PLN 4,64*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   671   672   673   674   675   676   677   678   679   680   681   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.