Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 924 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 88A; 400W; TO247-3; 150ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 88A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXTH88N15
od PLN 16,80*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,7 A SOT-223 60 V SMD Pojedynczy 3,1 W 200 miliomów (3 ofert) 
MOSFET, kanał N, od 60 V do 90 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFL014TRPBF
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2 A SOT-457T 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-457T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RTQ020N05HZGTR
od PLN 3,875*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 2,4 A 8-SOIC 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = 8-SOIC Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI4948BEY-T1-E3
od PLN 1,927*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 56A; 300W; TO220AB; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTP56N15T
od PLN 9,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 197 A TO-220 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 197 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Infineon
SP005633186
od PLN 4 160,97*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 160V; 7A; 100W; TO3PN (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2926
od PLN 47,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,7 A SOT-323 30 V SMD 0.6 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = DMN3061SWQ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Diodes
DMN3061SWQ-7
od PLN 1,45*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 2,1 A PICOSTAR 12 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 12 V Typ opakowania = PICOSTAR Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Texas Instruments
CSD13381F4T
od PLN 1,464*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,4 A TO-252 600 V SMD 2 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...
Infineon
IPD60R2K0C6ATMA1
od PLN 2,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 170V; 320A; 1670W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 320A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W Polaryzacja: unip...
IXYS
IXFX320N17T2
od PLN 87,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 69ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W Po...
IXYS
IXFA76N15T2
od PLN 12,23*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,2 A PowerPAK 1212-8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SI7818DN-T1-E3
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 55,5A; Idm: 222A; 250W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 55,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
Nexperia
PSMN030-150P,127
od PLN 7,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 2,5 A LBB 90 V SMD 1 Ω (1 Oferta) 
STMicroelectronics xxxx to stan FET LDMOS ART przeznaczony do komunikacji szerokopasmowej i aplikacji ISM o częstotliwościach od HF do 1 GHz. Produkt ten znajduje również zastosowanie w komercyjnyc...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
od PLN 62 569,05*
za 100 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   661   662   663   664   665   666   667   668   669   670   671   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.