Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 514/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMN4031SSDQ-13

od PLN 0,94*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 25 V SMD 0.00058 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = SiDR220DP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SIDR220DP-T1-RE3

od PLN 7,09*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 8,4A; 1,5W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMG4800LSDQ-13

od PLN 0,71*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD 0.0051 Ω (1 Oferta)

Seria Infineon OptiMOS™3 Power-MOSFET ma maksymalne napięcie źródła 30 V z pakietem typu SuperSO8 5x6. Bardzo niski poziom naładowania bramki i wyjścia oraz najniższa odporność na stany w małych ob...

Infineon

BSC034N03LSGATMA1

od PLN 1,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 2,6A; 1,25W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polar...

Diodes

ZXMN6A11DN8TA

od PLN 1,17*
za szt.

Infineon BSC011N03LSI tranzystor 25 V (1 Oferta)

Infineon

BSC011N03LSIATMA1

od PLN 14,42*
za 5 szt.

Infineon IAUC100N08S5N043 tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1

od PLN 3,342*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ44RPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=110 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-źródł...

Vishay

IRFZ44RPBF

od PLN 4,46*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 30 V SMD 0.00062 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = SiDR392DP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SIDR392DP-T1-RE3

od PLN 2,52*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 9A; 1,3W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W ...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4838

od PLN 1,80*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ48RPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=250 ns, Czas opadania=250 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=210 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.1 ns, Napięcie bramka-źr...

Vishay

IRFZ48RPBF

od PLN 4,56*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD 0.0019 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Infineon

IPC100N04S5L1R9ATMA1

od PLN 2,059*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 6,5 A SO-8 60 V SMD 0.052 O. (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...

Vishay

SI4946BEY-T1-E3

od PLN 2,541*
za szt.

Infineon BSC016N06NS tranzystor 80 V (1 Oferta)

Infineon

BSC016N06NSATMA1

od PLN 16 810,80*
za 5 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 12A; 3,1W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Po...

Alpha & Omega Semiconductor

AOSP66923

od PLN 1,36*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1531 Dalej

Tranzystory MOSFET (22 965 ofert spośród 4 920 356 artykułów)

"Tranzystor MOSFET"