Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 515/1 530)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=PMBF170, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=3 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez...

NXP

PMBF170

od PLN 0,31*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8 80 V SMD (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SiR584DP-T1-RE3

od PLN 9 752,82*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 400V; 0,45A; 2W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...

onsemi

FQS4901TF

od PLN 2,48*
za szt.

Infineon IRFH5302 tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IRFH5302TRPBF

od PLN 1,833*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 300mA, SOT-23 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=XP262N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró...

Torex Semiconductor

XP262N7002TR-G

od PLN 0,16*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 30 V SMD 0.00062 Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET Vishay N-Channel 30 V (D-S) jest wyposażony w Top Side Cooling, co zapewnia dodatkowe miejsce na transfer termiczny. Zoptymalizowano współczynnik QG, Qgd i Qgd/QGS, co zmniejsza s...

Vishay

SIDR392DP-T1-RE3

od PLN 7,616*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 25A; 1,5W; LSON-CLIP8 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: LSON-CLIP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...

Texas Instruments

CSD87335Q3DT

od PLN 4,15*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.004 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Infineon

IAUC100N10S5N040ATMA1

od PLN 7,185*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 5,8A; 1,3W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W Polaryz...

Diodes

DMN3024LSD-13

od PLN 0,87*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 25 V SMD 0.00058 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Seria = SiDR220DP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...

Vishay

SIDR220DP-T1-RE3

od PLN 7,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryza...

Diodes

DMN4031SSDQ-13

od PLN 0,94*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 30A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STP36NF06L, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=80 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło...

brak danych

STP36NF06L

od PLN 4,61*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...

Vishay

SIR638ADP-T1-UE3

od PLN 24 210,45*
za 3 000 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 310mA, SOT-23 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=2N7002ET1G, Ciągły prąd drenu (Id)=310 mA, Czas narastania=1.2 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=4.8 ns, Czas opóźnienia włączenia=1.7 ns, Napięcie bramka-...

onsemi

2N7002ET1G

od PLN 0,176*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A PowerPAK SO-8DC 40 V SMD 0.00088 Ω, 0.00116 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dre...

Vishay

SIDR638DP-T1-RE3

od PLN 9,644*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 511 512 513 514 515 516 517 518 519 520 521 .. 1530 Dalej

Tranzystory MOSFET (22 947 ofert spośród 4 923 582 artykułów)

"Tranzystor MOSFET"