Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 582 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 86W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMN16N60FD
od PLN 3,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy SOT-23 300 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Otwór przezierny
Microchip Technology
TN2130K1-G
od PLN 1,413*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Obud...
NTE Electronics
NTE221
od PLN 37,38*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy SOT-23 300 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Otwór przezierny
Microchip Technology
TN2130K1-G
od PLN 1,476*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 39A; 18,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 18,5W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF286L
od PLN 3,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 97 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0054 O, 0.0071 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISC0806NLSATMA1
od PLN 4,352*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 7A; Idm: 21A; 95W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: THT Obudowa: FTO-220AG (SC91) Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryza...
SHINDENGEN
P7F90VX3-5600
od PLN 4,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A PowerFLAT 5 x 6 80 V SMD 6.5 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerFLAT 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
ST Microelectronics
STL105N8F7AG
od PLN 6,249*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 38A; 277W (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,115Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277W Polaryzacja: unipo...
WAYON
WMJ38N60FD
od PLN 11,15*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy SOT-89 240 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalne napięcie dren-źródło = 240 V Typ opakowania = SOT-89 Typ montażu = Otwór przezierny
Microchip Technology
TN2524N8-G
od PLN 4,698*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 11A; 85W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 405mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMP14N60C2
od PLN 2,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 41A; 33W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6448
od PLN 2,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A D2PAK (TO-263) 1200 V SMD 0,028 oma (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET On Semiconductor z węglika krzemu (SiC) wykorzystuje całkowicie nową technologię, która zapewnia doskonałą wydajność przełączania i większą niezawodność w porównaniu...
onsemi
NVBG020N120SC1
od PLN 236,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 9A; 250W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolar...
Toshiba
TK9J90E,S1E(S
od PLN 9,83*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 95 A SuperSO8 5 x 6 80 V SMD 0.0052 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 95 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1
od PLN 5,196*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1021   1022   1023   1024   1025   1026   1027   1028   1029   1030   1031   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.