Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 947 ofert spośród 4 923 582 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 99 A D-Pak (TO-252AA) 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D-Pak (TO-252AA) Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRLR3636TRLPBF
od PLN 3,225*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 125V; 40A; 500W; M244; 16dB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: M244 Częstotliwość: 175MHz Napięcie dren-źródło: 125V Prąd drenu: 40A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16dB Moc wyjściowa: 300W Moc rozpraszana: 500W Sp...
ST Microelectronics
SD2932W
od PLN 718,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A D2PAK (TO-263) 1200 V SMD 0,028 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystan...
onsemi
NVBG020N120SC1
od PLN 275,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 10,5A; 85W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacja: unipolar...
WAYON
WMO11N80M3
od PLN 1,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 115 A PG HSOF-7 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG HSOF-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na uk...
Infineon
BTN9990LVAUMA1
od PLN 10,959*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 5A; 42W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMN07N60C2
od PLN 1,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,5 A; 3 A SOP 100 V SMD 0.017 Omh, 0.029 Omh (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2,5 A; 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = SP8M5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-ź...
ROHM Semiconductor
SP8M51HZGTB
od PLN 4,165*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TDSON 120 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Infineon
BSC080N12LSGATMA1
od PLN 4,474*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
BF2040E6814HTSA1
od PLN 2,44*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 98 A LFPAK56D 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 6,528*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolarny; 800V; 10A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,03Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipola...
WAYON
WML10N80M3
od PLN 2,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; SOT223 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMF10N60C2
od PLN 1,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2.5 A, 4.6 A U-DFN2020 20 V SMD 0.056 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 2.5 A, 4.6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezy...
Diodes
DMC2053UFDBQ-7
od PLN 0,905*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 82A; 167W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 80V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOW482
od PLN 4,41*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 99 A TO-247 650 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 99 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
onsemi
NTHL025N065SC1
od PLN 61,147*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1021   1022   1023   1024   1025   1026   1027   1028   1029   1030   1031   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.