Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor MOSFET

  Tranzystory MOSFET  (22 882 ofert spośród 5 025 393 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 97 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0054 O, 0.0071 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
ISC0806NLSATMA1
od PLN 3,967*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 8A; 57W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 690mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMP10N65C2
od PLN 1,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,3 A U-DFN2020-6 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = U-DFN2020-6
Diodes
DMC3032LFDB-7
od PLN 1 184,46*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; X2-Class; unipolarny; 650V; 18A; 36W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W ...
IXYS
IXFP18N65X2M
od PLN 10,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 12,5 A TSSOP 20 V SMD 0.0098 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 12,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
Si6423ADQ-T1-GE3
od PLN 1,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 220A; 960W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W...
IXYS
IXFT220N20X3HV
od PLN 59,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 97 A I2PAK (TO-262) 100 V 0.009 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = StrongIRFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRFSL4410ZPBF
od PLN 4,304*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A D2PAK (TO-263) 1200 V SMD 0,028 oma (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET On Semiconductor z węglika krzemu (SiC) wykorzystuje całkowicie nową technologię, która zapewnia doskonałą wydajność przełączania i większą niezawodność w porównaniu...
onsemi
NVBG020N120SC1
od PLN 114,351*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 8A; 57W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 690mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 57W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMM10N65C2
od PLN 1,64*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 5,5 A; 7 A DFN3333-9DC 30 V SMD 0.08 Ω, 0.035 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N, P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,5 A; 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN3333-9DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 9 Maksymalna rezy...
ROHM Semiconductor
HS8MA2TCR1
od PLN 1,055*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2
od PLN 7,144*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 36A; 176W; 75ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 75ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176W ...
IXYS
IXFP36N20X3
od PLN 9,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 97 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 97 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elemen...
Infineon
IRF100B202
od PLN 2,504*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 98 A LFPAK56D 40 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = LFPAK56D Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 2
Nexperia
PSMN4R2-40VSHX
od PLN 4,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 650V; 9A; 63W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryzacja: unipolarny...
WAYON
WMP11N65C2
od PLN 1,64*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1021   1022   1023   1024   1025   1026   1027   1028   1029   1030   1031   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.