Tranzystory MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 504/1 530)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 85A, TO-263 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1010NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=85 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=48 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-ź...

Infineon

IRF1010NSTRLPBF

od PLN 2,86*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.0035 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ -T2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró...

Infineon

IPD100N06S403ATMA2

od PLN 5,275*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,2 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...

Vishay

SQD40020EL_GE3

od PLN 2,946*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 4,8A; 0,7W; SO8 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,7W Polaryz...

Diodes

DMN2029USD-13

od PLN 0,52*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 95A, TO-247 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP1405PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=95 A, Czas narastania=160 ns, Czas opadania=150 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=140 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...

Infineon

IRFP1405PBF

od PLN 7,691*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzeni...

ST Microelectronics

STK184N4F7AG

od PLN 9 322,92*
za 3 000 szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,6A; 1,5W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,5W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SI4936CDY-T1-GE3

od PLN 1,29*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220AB (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60Z, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źródło...

brak danych

STP10NK60Z

od PLN 10,11*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK 20 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny

Infineon

IRLR6225TRPBF

od PLN 1,478*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 100V; 2,7A; 31W; SO8 (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 176mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipol...

onsemi

FDS89161

od PLN 3,77*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 600V, 10A, TO-220FP (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STP10NK60ZFP, Ciągły prąd drenu (Id)=10 A, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=30 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród...

brak danych

STP10NK60ZFP

od PLN 8,72*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A ECOPACK 40 V SMD (1 Oferta)

ST Microelectronics

STK184N4F7AG

od PLN 4,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,9A; 0,27W; SC70 (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,235Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,27W Polaryzacja: uni...

Vishay

SI1902CDL-T1-GE3

od PLN 0,47*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 60 V SMD 0.004 Ω, 0.0052 Ω (1 Oferta)

Vishay SQD50034EL_GE3 to samochodowy N-kanałowy 60V (D-S) 175°C MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa i niskim oporze cieplnym Rg i UIS testowane w 100 % Kwalifikacja AEC-Q101

Vishay

SQD50034EL_GE3

od PLN 3,554*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 5,2A; 0,85W; SOT26 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 5,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: ...

Diodes

DMG6968UDM-7

od PLN 0,61*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 501 502 503 504 505 506 507 508 509 510 511 .. 1530 Dalej

Tranzystory MOSFET (22 947 ofert spośród 4 923 578 artykułów)

"Tranzystor MOSFET"