 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 71,44*
za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ16DN25NS3GATMA1 |
od PLN 17,585*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 7 680,56*
za 4 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,704*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB100N06S2L05ATMA2 |
od PLN 9,844*
za szt. |
|
|
|
Qorvo (UnitedSiC) UF3C065030K3S |
od PLN 194,12*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 10,6 A V-DFN3030 30 V SMD 0.011 O. (1 Oferta) Funkcja MOSFET podwójnego n-kanalikowego wzmocnienia sygnału DiodesZetex została zaprojektowana w celu zminimalizowania oporności systemu RDS (ON), przy zachowaniu najwyższej wydajności przełączani... |
|
od PLN 1,759*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor QS5U17TR |
od PLN 0,71*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,63*
za szt. |
|
|
|
YANGJIE TECHNOLOGY YJSD12N03A |
od PLN 2,19*
za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,825*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPB100N04S204ATMA4 |
od PLN 7 970,97*
za 1 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,358*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 47A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ44NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=47 A, Czas narastania=84 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,11*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 100 A DO 247 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = DO 247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 |
|
od PLN 3 924,9102*
za 30 szt. |
|
|
