 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 42,35*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 1700 V AG-62MMHB-411 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-62MMHB-411 |
|
od PLN 791,226*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 44,26*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,40*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 75A; 781W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 68ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120LRG |
od PLN 87,10*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 14,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120L |
od PLN 42,65*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 270 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 391,821*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 105ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT95GR65B2 |
od PLN 46,65*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 331,23*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 55,90*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,992*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 133,70*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (2 ofert) Infineon IHW40N65R6 to 650 V, 40 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ... |
|
od PLN 6,919*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 61,55*
za szt. |
|
|
