 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 105ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT95GR65B2 |
od PLN 46,94*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (2 ofert) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 331,25*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 55,94*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,962*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 133,48*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (2 ofert) Infineon IHW40N65R6 to 650 V, 40 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ... |
|
od PLN 6,929*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 61,96*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 355 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 493,475*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 3 071,643*
za 2 500 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 81ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 17,38*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,13*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 64,58*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Stop Rowu, Pole, 4. Generacja, niskie Vcessiat IGBT, pakowane razem z diodą o pełnym prądzie znamionowymMaksymalna temperatura złącza: TJ = 175℃ Współczynnik dodatniej temperatury dla łatwej pracy ... |
|
od PLN 30,496*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 29,89*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 155 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 155 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 395,817*
za szt. |
|
|
