Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 898 ofert spośród 4 927 173 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 220A Prąd kolektora w impulsie: 400A Zastoso...
IXYS
MID300-12A4
od PLN 591,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Trench (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack PFP Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Prąd kolektora: 310A Montaż elektryczny: Press-Fit Montaż mechaniczny: przykręcany Typ...
IXYS
MITA300RF1700PTED
od PLN 561,20*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120JU2
od PLN 111,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,6kV; Ic: 50A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B Napięcie wsteczne maks.: 1,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w imp...
Infineon
DDB6U50N16W1RBPSA1
od PLN 193,713*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F1.1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
od PLN 94,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 84A Prąd kolektora w impulsie: 225A Montaż ...
IXYS
MDMA210UB1600PTED
od PLN 398,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 200A Montaż...
IXYS
MDNA280UB2200PTED
od PLN 645,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L2.2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
od PLN 93,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 25A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.0 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S
od PLN 146,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; THT (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 117A Prąd kolektora w impulsie: 200A ...
Powersem
PSSI 160/12
od PLN 142,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 150A Zastoso...
IXYS
MCNA120UI2200TED
od PLN 493,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: L3.0 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S
od PLN 156,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 29A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w impulsie: 60A Za...
Powersem
PSSI 50/06
od PLN 46,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Y3-DCB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 200A Zastoso...
IXYS
MID150-12A4
od PLN 516,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Oferta) 
Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR Obudowa: F4.1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impuls...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
od PLN 100,89*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   991   992   993   994   995   996   997   998   999   1000   1001   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.