Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 895 ofert spośród 4 926 784 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6029SLLG
od PLN 56,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13A; 150W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryza...
ST Microelectronics
STW13NK60Z
od PLN 6,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 95W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 95W P...
Infineon
IPP60R120P7
od PLN 12,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCA20N60
od PLN 9,44*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW60R099C7 tranzystor 600 V (3 ofert)
Infineon
IPW60R099C7XKSA1
od PLN 13,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14,9A; 310W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 310W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQA24N60
od PLN 20,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038SLLG
od PLN 45,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Pola...
Infineon
IPA60R250CPXKSA1
od PLN 6,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 22A; 500W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH22N60P3
od PLN 15,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTQ14N60P
od PLN 10,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 17A; Idm: 68A; 265W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 17A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 265W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6038BLLG
od PLN 41,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18F60B
od PLN 20,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO247-3 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176...
Infineon
IPW60R160C6FKSA1
od PLN 9,627*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; 130W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: un...
Toshiba
TK16N60W,S1VF(S
od PLN 8,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 360W P...
IXYS
IXTQ18N60P
od PLN 12,68*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.