Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO247-3 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176...
Infineon
IPW60R160C6FKSA1
od PLN 11,709*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021SFLLG
od PLN 78,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 117W P...
Infineon
IPP60R099P7
od PLN 14,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 219W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30N60BC6
od PLN 29,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3; ESD (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 129W P...
Infineon
IPW60R080P7
od PLN 19,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK2K2A60F,S4X(S
od PLN 2,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 192W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W Polary...
ST Microelectronics
STP20NM60FP
od PLN 10,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,3A; 21,6W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 21,6W ...
Infineon
IPL60R2K1C6SATMA1
od PLN 1,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 417W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT42S60L
od PLN 14,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,8A; 110W; TO220-3; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polary...
ST Microelectronics
STP6NK60Z
od PLN 2,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 20A; 208W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXKH20N60C5
od PLN 17,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2,4A; 25W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM4NB60CI C0G
od PLN 2,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 23A; 417W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB42S60L
od PLN 13,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DFN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 109mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TK31V60W5,LVQ(S
od PLN 11,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 192W...
Infineon
IPI60R165CPAKSA1
od PLN 9,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.