Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 10 A Uce 650 V 1 DO-263L 106 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 106 W Typ opakowania = DO-263L Liczba styków = 3 |
ROHM Semiconductor RGT20NL65GTL |
od PLN 5,186*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±25V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 632ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 566,08*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL1404ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=180 ns, Czas opadania=49 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=19 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 7,19*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB60T2R |
od PLN 0,285*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 181,84*
za szt. |
| |
Czujnik ciśnienia 1bar Tranzystor Norgren gazu (1 Oferta) Elektroniczny czujnik ciśnienia IMI Norgren 54D serii A G1/8 o rozmiarze portu z możliwością konfiguracji z 4-cyfrową zmianą koloru. Ten czujnik ciśnienia jest przeznaczony do pracy w trudnych waru... |
IMI Norgren 54D-V101G-DA1-AA |
od PLN 587,737*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 71,16*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 150A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUP40012EL-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 5,92*
za szt. |
| |
IGBT Ic 10 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 28 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montażu = Otwó... |
|
od PLN 2,857*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60SDQ2G |
od PLN 43,90*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 150A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUM40012EL-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 4,716*
za szt. |
| |
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 361 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montażu = Ot... |
Infineon IKQ100N120CH7XKSA1 |
od PLN 38,041*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 216,80*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 162A, D2PAK (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1404STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=162 A, Czas narastania=140 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=72 ns, Czas opóźnienia włączenia=17 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 3,994*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB11T2R |
od PLN 0,209*
za szt. |
| |
|
