| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 64ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 133,75* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,55* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,719* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,04* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,813* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 592,17* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,11* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor EMB52T2R |
od PLN 0,272* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,22* za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 400V, 23A, TO-247AC (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFP360PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=23 A, Czas narastania=79 ns, Czas opadania=67 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=18 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 9,22* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,127* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 33A; 272W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 39ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GN120B2DQ2G |
od PLN 41,91* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,70* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6 533,40* za 3 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 55A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 637ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 369,92* za szt. |
|
|