 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon FP150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 1 119,784*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GT120BRDQ1G |
od PLN 22,96*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,215*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 268 W Typ opakowania = TO-247-4LD |
|
od PLN 4 437,63*
za 450 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,67*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 42A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2905TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=84 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,78*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS200R12N3T7BPSA1 |
od PLN 944,638*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,825*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 187 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 890 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 187 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 890 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 143,414*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60BD15 |
od PLN 28,56*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 42A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2905ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=42 A, Czas narastania=130 ns, Czas opadania=33 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=24 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,70*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2 |
Infineon IKY75N120CH3XKSA1 |
od PLN 52,79*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120S |
od PLN 27,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,65*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 6 512,3505*
za 450 szt. |
|
|
