Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 886 ofert spośród 4 905 656 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA124XQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA124XQCZ
od PLN 601,70*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET (HEXFET/FETKY) International Rectifier IRF 2807, TO 220 AB, 89 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET International Infineon Technologies IRF2807Z | Dane techniczne: C(ISS): 3270 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 75 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: INF · Maksymalna...
Infineon
IRFZ2807ZPBF
od PLN 8,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 150V, 120A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH120N15P, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=42 ns, Czas opadania=26 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=33 ns, Napięcie bramka-źród...
IXYS
IXFH120N15P
od PLN 22,85*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA144EQC-QZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA144EQC-QZ
od PLN 0,222*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP wysonapięciowy Infineon SMBTA 92, PNP, SOT 23, 0,5A, 300 V (1 Oferta) 
Tranzystor PNP wysokonapięciowy Infineon Technologies SMBTA92 | Wysokonapięciowy tranzystor PNP (taśma 8 mm) Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 50 MHz · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta:...
Infineon
SMBTA92
od PLN 0,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 150V, 120A, TO-262 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IPI075N15N3GXKSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=46 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramk...
Infineon
IPI075N15N3GXKSA1
od PLN 10,25*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA143XQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA143XQCZ
od PLN 0,206*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 150V, 2.6A, SOT-223 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL4315TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=2.6 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.4 ns, Napięcie bramka-ź...
Infineon
IRFL4315TRPBF
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA124XQC-QZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA124XQC-QZ
od PLN 0,67*
za 5 szt.
 
 opakowania
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO220-3 105 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 105 W Typ opakowania = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
od PLN 5,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor polowy FET IXYS IXFN100N50P Kanał N Rodzaj obudowy SOT-227B N/A N/A I (2 ofert) 
Tranzystor polowy FET IXYS IXFN100N50P | Dane techniczne: C(ISS): 20000 pF · Cecha tranzystora: standardowy · I(d): 90 A · Ilość kanałów: 1 · Kod producenta: IXY · Maksymalna temperatura robocza: +...
IXYS
IXFN100N50P
od PLN 128,44*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFI4321PBF
od PLN 6,83*
za szt.
 
 szt.
Cyfrowy tranzystor PNP DFN1412D-3 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA PDTA143EQCZ (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -100 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -50 V Typ opakowania = DFN1412D-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba elementów na układ = 3
Nexperia
PDTA143EQCZ
od PLN 621,15*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 8,5A; 38W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 8,5A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 38W Właściwości elementów półprzewodnikowych: i...
Infineon
IRG4RC10UDPBF
od PLN 3,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET International Rectifier IRF 3205, kanał N, TO 220 AB, I(D) 110 (1 Oferta) 
MOSFET Kanał N Infineon Technologies IRF3205 | MOSFET-Tranzystor jest sterowanym napięciem elementem i może być przyłączany bezpośrednio do źródeł o wysokiej impedancji. Nadaje się więc do zastosow...
Infineon
IRF3205
od PLN 8,77*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   301   302   303   304   305   306   307   308   309   310   311   ..   1393   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.