Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 620,90* za 5 000 szt. |
| |
|
|
od PLN 3,88* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 9.4A, TO-252 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR120NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=9.4 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=32 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.5 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 1,386* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,38* za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 45ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN60BDQ2G |
od PLN 38,21* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,26* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 9.4A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR120NTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=9.4 A, Czas narastania=23 ns, Czas opadania=23 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=32 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.5 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 1,854* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,206* za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO263-3 105 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 105 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 4,872* za szt. |
| |
|
|
od PLN 5,21* za szt. |
| |
|
Infineon IPP041N12N3GXKSA1 |
od PLN 10,964* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,62* za 5 szt. |
| |
|
|
od PLN 4,167* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,26* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 150V, 1.9A, SO-8 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7465TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=1.2 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 1,15* za szt. |
| |
|