 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
IC: power switch; 12A; Ch: 1; SMD; SO8; rolka,taśma (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Prąd wyjściowy: 12A Typ układu scalonego: power switch Liczba kanałów: 1 Rodzaj opakowania: taśma;rolka |
ST Microelectronics VNS14NV04PTR-E |
od PLN 4,70*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics SCTW100N65G2AG |
od PLN 114,38*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 20 A DPAK SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 |
ST Microelectronics STD65N160M9 |
od PLN 12,34*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M95640-RMN6TP |
od PLN 1,44*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STGIB15CH60TS-X |
od PLN 66,386*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M95010-RMN6TP |
od PLN 0,61*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 119 A HiP247-4 650 V 0.024 O (1 Oferta) The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan... |
ST Microelectronics SCTWA90N65G2V-4 |
od PLN 118,036*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics TDE1707BFPT |
od PLN 15,45*
za szt. |
|
100% |
|
Moduł MOSFET N-kanałowy 38 A TO-247 600 V 0,06 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 38 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = ST Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,06 oma ... |
ST Microelectronics STWA65N60DM6 |
od PLN 22,103*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M48Z58Y-70PC1 |
od PLN 68,46*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 650 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Mate... |
ST Microelectronics STP65N150M9 |
od PLN 9,54*
za szt. |
|
100% |
|
Moduł MOSFET N-kanałowy 20 A HiP247 1200 V 0,189 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,189 o... |
ST Microelectronics SCTWA20N120 |
od PLN 41,94*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M24M01-RDW6TP |
od PLN 3,01*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STD16N60M6 |
od PLN 5,494*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics VN7140ASTR |
od PLN 2,718*
za szt. |
|
|
