st microelectronics  (13 793 ofert spośród 4 839 185 artykułów)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 1,8...5,5V Typ układu scalonego: pamięć EEPROM Interfejs: SPI Rodzaj pamięci: EEPROM Organizacja...

Tranzystory MOSFET STMicroelectronics N-Channel MDMesh M6 Power MOSFET zawierają najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanej i skonsolidowanej rodziny tranzystorów MOSFET MDMesh. Urządzenia MDMe...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 1,7...5,5V Typ układu scalonego: pamięć EEPROM Interfejs: SPI Rodzaj pamięci: EEPROM Organizacja...

Klasa Bluetooth = Klasa wyzwalania Class 1 Wersja Bluetooth = 4.2 Maksymalna moc wyjściowa = 8dBm Czułość odbiornika = -88dBm Obsługiwane złącza magistrali = SPI

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 1,8...5,5V Typ układu scalonego: pamięć EEPROM Interfejs: SPI Rodzaj pamięci: EEPROM Organizacja...

Tranzystor MOSFET wysokiego napięcia STMicroelectronics z kanałem N jest częścią serii szybkiej regeneracji Mesh DM6. W porównaniu z poprzednią generacją sieci Mesh FAST, DM6 łączy bardzo niski poz...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -25...85°C Obudowa: SO8 Moc: 0,8W Napięcie zasilania: 8,4...36V Napięcie pracy: 7,6...36V Częstotliwość: 48...500kHz Prąd wyjściowy: 1A ...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,58 om...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = M6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.20...

Rozmiar pamięci = 512kbit Typ złącza = Szeregowy-I2C Typ opakowania = TSSOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Organizacja = 64 K x 8 bitów Minimalne robocze napięcie zasilania =...

Klasa Bluetooth = Klasa wyzwalania Class 1 Wersja Bluetooth = 5 Maksymalna moc wyjściowa = 8dBm Czułość odbiornika = -88dBm

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = Taśma i szpula Typ montażu = Montaż powierzchniowy Tryb kanałowy = Rozszerzenie

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -25...85°C Obudowa: SO8 Moc: 0,8W Napięcie zasilania: 16...36V Napięcie pracy: 10...36V Częstotliwość: 48...500kHz Prąd wyjściowy: 1A Ty...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 15 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = ST Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,196 oma...

Tranzystor MOSFET STMicroelectronics N 900 V, typ 280 MO, 15 A MDmesh K5 Power w obudowie TO-220FP, oparty na innowacyjnej, zastrzeżonej konstrukcji pionowej.Bardzo niski poziom naładowania bramki ...