 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M95128-RMN6P |
od PLN 1,16*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32L4P5CGT6 |
od PLN 36,849*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STEF512GR |
od PLN 3,677*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STB12NM50T4 |
od PLN 8,922*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M24C01-RMN6P |
od PLN 0,53*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32MP157FAC1 |
od PLN 68,855*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics M95160-RMN6TP |
od PLN 1,13*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32L4R9ZGJ6 |
od PLN 52,547*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S207R8T6C |
od PLN 10,81*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 30 A H2PAK-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = H2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 |
ST Microelectronics SCT040H65G3AG |
od PLN 50,72*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 12 A H2PAK-2 1200 V SMD 0.69 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = STB37N60 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło... |
ST Microelectronics STH12N120K5-2 |
od PLN 29,566*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32WB55CGU6 |
od PLN 24,386*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32MP153DAB1 |
od PLN 55,281*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S207RBT3 |
od PLN 11,08*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220FP 600 V 0,082 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = Mdmesh M6 series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
ST Microelectronics STL47N60M6 |
od PLN 18,123*
za szt. |
|
|
