Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 884 ofert spośród 5 026 130 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2914
od PLN 12,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 65 A TO-247 650 V Pojedynczy 446 W 40 miliomów (2 ofert) 
SUPERFET III MOSFET marki ON Semiconductor to zupełnie nowa rodzina elementów MOSFET SJ wysokiego napięcia, która korzysta z technologii równoważenia obciążenia, aby zapewnić doskonałą rezystancję ...
onsemi
NTHL040N65S3HF
od PLN 31,979*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2,24A; Idm: 11,2A; 2,1W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQT13N06LTF
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 FP 700 V 0.9 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
Infineon
IPAN70R900P7SXKSA1
od PLN 1,713*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 210A; 300W; TO262 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO262 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 210A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tub...
Infineon
IRFSL3206PBF
od PLN 4,18*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPS80R900P7AKMA1
od PLN 1,517*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ068N06NSATMA1
od PLN 0,918*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6,5 A U-DFN1616-6 60 V SMD 0.025 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Diodes
DMT6030LFCL-7
od PLN 1 474,14*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 65 A TO-252 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 65 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-252 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
ROHM Semiconductor
RD3G03BBGTL1
od PLN 1,612*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 FP 800 V 0.304 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ FULLPAK typu Thin-Lead TO-220 z prądem odpływowym 6 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przew...
Vishay
SIHA15N80AE-GE3
od PLN 3,465*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 21A; 10,5W; DFN5x6; ESD (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 10,...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6266E
od PLN 0,67*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPS70R900P7SAKMA1
od PLN 87,74025*
za 75 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 6,6 A PowerPAK SC-70 80 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SC-70 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Vishay
SIA108DJ-T1-GE3
od PLN 6,085*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 65,8 A. PowerPAK SO-8 100 V SMD 0.008 Ω, 0.009 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 65,8 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET® Gen IV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja ...
Vishay
SiR106ADP-T1-RE3
od PLN 13,115*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 2,6A; Idm: 6A; 1W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 144mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SI2308CDS-T1-GE3
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   911   912   913   914   915   916   917   918   919   920   921   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.