Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 037 ofert spośród 4 841 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247 56 A (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 56 A Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczb...
ST Microelectronics
STWA60N043DM9
od PLN 32,15*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW60R041P6FKSA1
od PLN 32,389*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 55 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
SCT3040KRHRC15
od PLN 67,749*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,7A; 100W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK10E60W,S1VX(S
od PLN 4,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.014 → 0.02 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Diodes
DMTH10H015SK3-13
od PLN 23,15*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8,1A; 66W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 66W ...
Infineon
IPP60R520E6XKSA1
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A Rura 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DRC15
od PLN 42,479*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 53W Po...
Infineon
IPD60R280P7S
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-247-4L 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4026DRHRC15
od PLN 47,955*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; 110W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD13N60M2
od PLN 4,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 55,5 A PowerPAK 1212-8S 80 V SMD Pojedynczy 57 W 12 miliomów (2 ofert) 
N-kanałowy 80 V (D-S) tranzystora MOSFET.Układ mocy MOSFET TrenchFET® IV generacji Bardzo niskim RDS x Qg rysunek-of-zasługi (FOM) Dostrojona dla najniższej RDS x Qoss FOM
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
od PLN 1,923*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 90A; 1100W; PLUS247™; 210ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 210ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1...
IXYS
IXFX90N60X
od PLN 52,91*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A DPAK (TO-252) 55 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
AUIRFR2905ZTRL
od PLN 3,911*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 56 A TO-220 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-220 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3
ST Microelectronics
STP60N043DM9
od PLN 29,822*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 9,2A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 9,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pol...
Infineon
IPA60R450E6XKSA1
od PLN 3,63*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   911   912   913   914   915   916   917   918   919   920   921   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.