Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 909 372 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,15A; Idm: 0,8A; 0,34W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,34W Polaryza...
Diodes
DMN67D8L-7
od PLN 0,115*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0.75 Ω (1 Oferta) 
Nowa technologia STMicroelectronics MDmesh M6 wykorzystuje najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanych i skonsolidowanych MDmesh rodziny SJ MOSFET. Firma STMicroelectronics wykorzystuje poprzed...
ST Microelectronics
STD9N60M6
od PLN 4,998*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 576 A Taca 1200 V Montaż na śrubie (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 576 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Taca Typ montażu = Montaż na śrubie
ROHM Semiconductor
BSM600C12P3G201
PLN 5 404,879*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD122N10N3GATMA1
PLN 2,514*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 57 A PG-TDSON-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 57 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
BSC112N06LDATMA1
od PLN 9,16*
za 2 szt.
 
 paczka
MOSFET N-kanałowy 6 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 600 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...
Infineon
IPD60R600P7SAUMA1
od PLN 2,097*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,2A; 0,37W; SOT23; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyj...
Diodes
2N7002AQ-7
od PLN 0,208*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD 0.0109 O, 0.0149 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystanc...
Infineon
ISC0804NLSATMA1
PLN 2,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,19A; Idm: 0,8A; 0,14W; ESD (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,14W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
2N7002K-T1-E3
od PLN 0,208*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 57 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD 0.0069 O, 0.0089 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 57 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Infineon
ISC0703NLSATMA1
od PLN 2,755*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.9 Ω (1 Oferta) 
Ten Infineon Cool MOS MOSFET wykorzystuje nową rewolucyjną technologię wysokiego napięcia i ma wysoką zdolność prądów Peak.Bardzo niska wydajność
Infineon
SPD06N80C3ATMA1
od PLN 3,172*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.014 → 0.02 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Diodes
DMTH10H015SK3-13
od PLN 3,39*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 59 A TO-247-4 650 V 0.034 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 59 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.03...
Infineon
IMZA65R027M1HXKSA1
od PLN 42,204*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 57,8 A WDFN 100 V SMD Pojedynczy 77,8 W 15.9 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 57,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = WDFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-...
onsemi
NVTFS010N10MCLTAG
od PLN 4,358*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 6 A HUML2020L8 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerze...
ROHM Semiconductor
RF4P060BGTCR
od PLN 0,843*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   911   912   913   914   915   916   917   918   919   920   921   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.