Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 951 ofert spośród 4 927 280 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO220 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2991
od PLN 10,90*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A DO-LL TYP A2 600 V SMD 0.076 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-LL TYP A2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
ST Microelectronics
STO65N60DM6
od PLN 18,587*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH8303TRPBF
od PLN 3,178*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0,055 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTH35 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
od PLN 48,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 37ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Po...
IXYS
IXTA90N055T2
od PLN 5,51*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 42 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 42 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
AUIRFR2407TRL
od PLN 12 322,95*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IRFZ44NLPBF
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A PowerPAK SO-8L 80 V SMD 0,0173 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = SQJA81EP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SQJA81EP-T1_GE3
od PLN 3,658*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4036KRHRC15
od PLN 47,992*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB80N06S2L07ATMA3
od PLN 5,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247-4 1200 V 0.07 Ω (1 Oferta) 
MOSFET SiCTranzystor STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET z ogranicznikiem polowym (TFS) IGBT o tej samej wartości napięcia i równoważnej rezystancji w stanie włączonym...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
od PLN 120,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 42 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.027 Ω (2 ofert) 
Seria tranzystorów mocy Infineon HEXFET MOSFET ma maksymalne napięcie źródła prądu 55V. Jest to pojedynczy tranzystor N HEXFET Power MOSFET w obudowie typu D-Pak. Piąta generacja HEXFET firmy Inter...
Infineon
IRLR2905TRLPBF
od PLN 2,642*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220 FP 100 V 0.0081 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPA Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0081 Ω...
Infineon
IPA082N10NF2SXKSA1
od PLN 3,672*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 560V; 4,5A; 42W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
SPD04N50C3
od PLN 3,65*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247N 1200 V 36 mΩ (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Maksymalna rezystancja dren-źródło = 36 mΩ
ROHM Semiconductor
SCT4036KEC11
od PLN 63,554*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   851   852   853   854   855   856   857   858   859   860   861   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.