| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 10,90* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 46 A DO-LL TYP A2 600 V SMD 0.076 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-LL TYP A2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja... |
ST Microelectronics STO65N60DM6 |
od PLN 18,587* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,178* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 45 A H2PAK-7 650 V SMD 0,055 oma (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTH35 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
ST Microelectronics SCTH35N65G2V-7 |
od PLN 48,95* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,51* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12 322,95* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,74* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,658* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny |
ROHM Semiconductor SCT4036KRHRC15 |
od PLN 47,992* za szt. |
|
|
|
Infineon IPB80N06S2L07ATMA3 |
od PLN 5,69* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 45 A HiP247-4 1200 V 0.07 Ω (1 Oferta) MOSFET SiCTranzystor STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET z ogranicznikiem polowym (TFS) IGBT o tej samej wartości napięcia i równoważnej rezystancji w stanie włączonym... |
ST Microelectronics SCTWA40N120G2V-4 |
od PLN 120,40* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,642* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 46 A TO-220 FP 100 V 0.0081 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 46 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPA Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0081 Ω... |
Infineon IPA082N10NF2SXKSA1 |
od PLN 3,672* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,65* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247N 1200 V 36 mΩ (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny Maksymalna rezystancja dren-źródło = 36 mΩ |
ROHM Semiconductor SCT4036KEC11 |
od PLN 63,554* za szt. |
|
|