Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 440 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 440 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L...
Vishay
SIRS4400DP-T1-RE3
od PLN 13,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; TO220F (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF20N60
od PLN 6,34*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA060N06NXKSA1
od PLN 3,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A PQFN 2 x 2 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 2 x 2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Liczba elementów na układ...
Infineon
ISK036N03LM5
od PLN 2,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 60A; 208W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCA20N60
od PLN 9,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45,1 A PowerPAK 1212-8 80 V SMD Pojedynczy 52 W 12,5 milioma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezysta...
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,51A; 45W; TO220-3; ESD (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polary...
ST Microelectronics
STP3NK60Z
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A DO-263S 200 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ451N20TL
od PLN 6,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 13,1A; 34,5W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
Infineon
SPA20N60C3
od PLN 10,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Infineon
IAUC45N04S6L063HATMA1
od PLN 2,012*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 80A; Idm: 320A; 300W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP80NF55-08
od PLN 6,87*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A PQFN 5 x 6 30 V SMD 13.5 MO (1 Oferta) 
Jednokanałowy tranzystor MOSFET Infineon 30V HEXFET z zasilaniem jednokanałowy w obudowie PQFN 5 mm x 6 mm.Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnych Kwalifikacj...
Infineon
IRFH8334TRPBF
od PLN 0,811*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 12A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W ...
Infineon
IPP60R250CPXKSA1
od PLN 7,00*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 45,9 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 45,9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIS4604LDN-T1-GE3
od PLN 1,396*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA60R380E6XKSA1
od PLN 3,43*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   851   852   853   854   855   856   857   858   859   860   861   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.