Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 943 ofert spośród 4 926 368 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 550V; 7,5A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 550V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polary...
ST Microelectronics
STP12NM50FP
od PLN 5,79*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 44 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0.0168 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...
Diodes
DMT69M9LPDW-13
od PLN 2,442*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 410 A LFPAK88 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 410 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = LFPAK88 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Nexperia
PSMNR90-50SLHAX
od PLN 12,768*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRF3805 tranzystor 200 V (1 Oferta)
Infineon
IRF3805PBF
od PLN 6,95*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 43 A TO-247N 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 43 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4036KEHRC11
od PLN 48,721*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 3,8A; Idm: 22A; 8W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT223;SC73 Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 3,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 278mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna...
Nexperia
BUK78150-55A/CUX
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 400 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG HDSOP-16 (TOLT) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalne napi...
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1
od PLN 77,81*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 44,4 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIS4604DN-T1-GE3
od PLN 4 858,59*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 78ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 935W P...
IXYS
IXTT360N055T2
od PLN 30,82*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 410 A SOT1235 50 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 410 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 50 V Typ opakowania = SOT1235 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Nexperia
PSMNR90-50SLH
od PLN 17,615*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTA260N055T2-7
od PLN 14,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 430 A PowerPAK 8 x 8 l 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 430 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK 8 x 8 l Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SQJQ184ER-T1_GE3
od PLN 8,667*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 400 mA SOT-23 60 V SMD 0.68 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 400 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
ROHM Semiconductor
BSS138BKAHZGT116
od PLN 1 180,23*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 38ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 180W P...
IXYS
IXTA110N055T2
od PLN 6,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 415 A PowerPAK SO-8DC 25 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 415 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SiDR220EP-T1-RE3
od PLN 13,708*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   851   852   853   854   855   856   857   858   859   860   861   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.