Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 960 ofert spośród 4 917 868 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 37 A TO-247-4 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
ST Microelectronics
STWA32N65DM6AG
od PLN 18,045*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO247-3; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTH340N04T4
od PLN 14,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A IPAK 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tran...
Infineon
IRFU4615PBF
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A D2PAK (TO-263) 900 V SMD Pojedynczy 113 W 78 mΩ (1 Oferta) 
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSF. Wolfspeed Z-FET™, C2M™ i C3M™ Silicon Carbide MOSFET. Seria tranzystorów MOSFET SiC drugiej generacji firmy Cree z działu zasilania firmy Wolfspeed, które zape...
Wolfspeed
C3M0065090J
od PLN 52,097*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 90A; 63W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Po...
Infineon
IPC90N04S5-3R6
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
Infineon
AIMW120R060M1HXKSA1
od PLN 76,258*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTA340N04T4-7
od PLN 11,98*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37 A TO-247-4 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1
Wolfspeed
C3M0060065K
od PLN 35,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXTA340N04T4
od PLN 11,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0,044 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex 60V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym ro...
Diodes
DMNH6035SPDW-13
od PLN 3,152*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
AUIRFR540ZTRL
od PLN 7,552*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 450V; 0,25A; Idm: 1,6A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 450V Prąd drenu: 0,25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja...
ST Microelectronics
STS1DNC45
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A SOT-23 40 V SMD 0.036 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SQ2318AES-T1_GE3
od PLN 0,701*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 37.2 A WDFN 150 V SMD 0.022 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 37.2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = NTTFS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTTFS022N15MC
od PLN 6,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-220 600 V 59 miliomów (1 Oferta) 
STMicroelectronics wysokiego napięcia N-kanałowy Power MOSFET jest częścią serii MDmesh DM6 Fast Recovery Diode. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh, DM6 łączy bardzo niski poziom naładowani...
ST Microelectronics
STO67N60DM6
od PLN 21,21*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.