 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A 1212-8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ... |
|
od PLN 9 913,68*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,44*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,97*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 272W (1 Oferta) Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 272W ... |
Nexperia PSMN1R8-40YLC,115 |
od PLN 4,58*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 21,027*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOT1404L |
od PLN 5,37*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A SOT1210 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT1210 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 2,891*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 20A; 27W; DPAK (1 Oferta) Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 27W Polaryzacja: unipolarny... |
|
od PLN 0,98*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A DO-LL-HV 600 V SMD 54 miliomy (1 Oferta) Technologia STMicroelectronics MDmesh M6 wykorzystuje najnowsze osiągnięcia w zakresie dobrze znanej i skonsolidowanej rodziny MDmesh tranzystorów MOSFET SJ. Firma STMicroelectronics bazuje na popr... |
ST Microelectronics STO67N60M6 |
od PLN 22,393*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,07*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 19 506,36*
za 20 szt. |
|
|
|
Infineon BSC030N04NSGATMA1 |
od PLN 1,49*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 34 A DO-LL-HV 600 V SMD 54 miliomy (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STO67N60M6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł... |
ST Microelectronics STO67N60M6 |
od PLN 15,641*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13,55*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-220 600 V 60 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ C7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ... |
|
od PLN 21,931*
za szt. |
|
|
