 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 330,30*
za 75 szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,84*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,765*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 20,28*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,54*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 331 A HSOF 80 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 331 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = HSOF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
Infineon IPT014N08NM5ATMA1 |
od PLN 16,836*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 13A; 2W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pola... |
Alpha & Omega Semiconductor AOSP66406 |
od PLN 0,63*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,946*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,94*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 337 A DFN 30 V SMD 0.00115 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 337 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
|
od PLN 5,933*
za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 11A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ... |
|
od PLN 2,73*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD35N10S3L26ATMA1 |
od PLN 4,035*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 334 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 334 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie L... |
|
od PLN 12,18*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD35N12S3L24ATMA1 |
od PLN 3,759*
za szt. |
|
|
