Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 035 ofert spośród 4 840 858 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFU320PBF
od PLN 1,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A DO-263S 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ331N25TL
od PLN 6,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO3 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: un...
NTE Electronics
NTE2993
od PLN 92,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 1200 V 0,08 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
Infineon
AIMW120R080M1XKSA1
od PLN 44,581*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 306W; SOT78,TO220AB (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 306W Polaryzacj...
Nexperia
PSMN2R2-40PS,127
od PLN 13,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A DO-263S 250 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 250 V Typ opakowania = DO-263S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
RCJ331N25TL
od PLN 6,02*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A PowerPAK 10 x 12 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK065N60E-T1-GE3
od PLN 29 855,32*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W ...
Infineon
IPC100N04S5-1R9
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247 600 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Superzłącze MOSFET 600V Cool MOS P7 nadal równowaga między potrzebą wysokiej wydajności a łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepszy w swojej klasie RonxA i niski poziom naładowania bram...
Infineon
IPW60R099P7XKSA1
od PLN 12,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W P...
Infineon
IPC100N04S5-2R8
od PLN 2,74*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A IPAK 150 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tran...
Infineon
IRFU4615PBF
od PLN 3,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 7A; 184W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 590mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 184W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT12N40L
od PLN 2,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A Rura 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4045DRC15
od PLN 27,246*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polaryzacja: uni...
NTE Electronics
NTE67
od PLN 19,18*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0,044 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMNH6035 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Diodes
DMNH6035SPDW-13
od PLN 7 118,70*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.