![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 15A; 2,1W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,1W Pola... |
Alpha & Omega Semiconductor AO4430 |
od PLN 1,76* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 270 A TO-262 40 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 270 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-262 Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 6,60* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,71* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,563* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,09* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-247-4 700 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1 |
Microchip Technology MSC060SMA070B4 |
od PLN 30,77* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12A; 1,2W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,2W Po... |
Alpha & Omega Semiconductor AO4576 |
od PLN 0,80* za szt. |
|
|
|
Infineon ISC011N06LM5ATMA1 |
od PLN 9,755* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON7410 |
od PLN 0,44* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 270 mA U-DFN2020 100 V SMD 10 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 270 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = U-DFN2020 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja ... |
|
od PLN 2,025* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 13 601,16* za 4 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 28.3 A WDFN 30 V SMD 0.0031 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET ON Semiconductor do zastosowań motoryzacyjnych w obudowie z płaskim przewodem o wymiarach 3x3mm, zaprojektowany z myślą o niewielkich i wydajnych konstrukcjach, w tym o wysokiej w... |
|
od PLN 3,884* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 29 A HSOF-8 600 V SMD 80 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = CoolMOS™ G7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
|
od PLN 17,84* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 19A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 19A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ... |
|
od PLN 8 331,48* za 4 000 szt. |
|
|
|
Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
od PLN 2 511,48* za 3 000 szt. |
|
|