Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 958 ofert spośród 4 927 281 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 27 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Infineon IPP026N10NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 100 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. ...
Infineon
IPP026N10NF2SAKMA1
od PLN 10,216*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 278 A PowerPAK 8 x 8L 60 V SMD 0.0065 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 278 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = N-Channel 60 V Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-ź...
Vishay
SQJA16EP-T1_GE3
od PLN 3,601*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 120A; Idm: 480A; 176,5W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 176,5W Pola...
ST Microelectronics
STP200N3LL
od PLN 3,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 266 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 266 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na ...
Vishay
SQJ140ELP-T1_GE3
od PLN 3,104*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 29 A HU3PAK 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = HU3PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7
ST Microelectronics
STHU36N60DM6AG
od PLN 14,543*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 270 A TO-220 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 270 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elemen...
Infineon
IRFB3006PBF
od PLN 738,50*
za 100 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 1,9A; Idm: 12A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,118Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Nexperia
PMV90ENER
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 28 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD 0.094 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = STB37N60 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
ST Microelectronics
STB37N60DM2AG
od PLN 16,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 124A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 81W Polaryzacja: unipolar...
Toshiba
TPH2R903PL,L1Q(M
od PLN 1,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 267 A TDFNW8 100 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 267 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = NTMTS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
onsemi
NTMTSC1D6N10MCTXG
od PLN 14,807*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 125mA; Idm: 0,8A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,125A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Nexperia
NX3020NAK,215
od PLN 0,136*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 29 A PowerPAK 10 x 12 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PowerPAK 10 x 12 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIHK075N60E-T1-GE3
od PLN 13,093*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC0901NSIATMA1
od PLN 1,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 270 A TO-247 60 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 270 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Liczba elemen...
Infineon
IRFP3006PBF
od PLN 16,171*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W ...
Infineon
BSC016N03LSGATMA1
od PLN 3,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   741   742   743   744   745   746   747   748   749   750   751   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.