Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 936 ofert spośród 5 040 365 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 27A; 3,6W; PQFN5X6 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PQFN5X6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 27A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,6W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ro...
Infineon
IRFH8316TRPBF
od PLN 2,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 28 A D2PAK (TO-263) 600 V SMD Pojedynczy 250 W 123 miliomy (2 ofert) 
N-kanałowy MOSFET z szybką diodą, seria EF, Vishay Semiconductor. Skrócony czas powrotu do tyłu, naładowanie powrotu i natężenie prądu powrotu do tyłu Niska wartość zasługi (FOM) Niska pojemność we...
Vishay
SIHB28N60EF-GE3
od PLN 11,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 20A; 41W; PQFN8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 41W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDMC8651
od PLN 3,05*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD80R2K0P7ATMA1
od PLN 1,359*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 28A; 10W; DFN3x3 EP (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3x3 EP Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7400A
od PLN 0,61*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN4 8 x 8 650 V SMD 0.11 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o...
onsemi
NTMT110N65S3HF
od PLN 12,302*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
od PLN 23,012*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1
od PLN 0,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-220 80 V (1 Oferta) 
Infineon IPP024N08NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 80 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. T...
Infineon
IPP024N08NF2SAKMA1
od PLN 3 918,21*
za 1 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 21A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ...
onsemi
FDS6699S
od PLN 2,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3 A SO-8 50 V SMD 0.13 Ω (1 Oferta) 
Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania w celu uzyskania niskiej odporności na działanie każdego obszaru krzemu. Ta korzyść w połączeniu z duż...
Infineon
AUIRF7103QTR
od PLN 2,016*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFH5302DTRPBF
od PLN 10 594,56*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
onsemi
NTPF095N65S3H
od PLN 20,645*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 3,3A; 0,35W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryza...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE2304
od PLN 0,585*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 285 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 285 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
BSC010N04LS6ATMA1
od PLN 14 856,55*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   751   752   753   754   755   756   757   758   759   760   761   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.