| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 2,34* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,65* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,05* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,359* za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AON7400A |
od PLN 0,61* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A PQFN4 8 x 8 650 V SMD 0.11 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET ON Semiconductor SUPERFET III ma rodzinę tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, która wykorzystuje technologię równoważenia obciążenia, aby uzyskać wyjątkową niską odporność na o... |
|
od PLN 12,302* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 28 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 |
od PLN 23,012* za szt. |
|
|
|
Infineon BSZ130N03LSGATMA1 |
od PLN 0,85* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 28 A TO-220 80 V (1 Oferta) Infineon IPP024N08NF2S to tranzystor mocy N MOSFET. Napięcie źródła spustu tego tranzystora mosfet wynosi 80 V. Obsługuje szeroki zakres zastosowań, a standardowy system styków umożliwia wymianę. T... |
Infineon IPP024N08NF2SAKMA1 |
od PLN 3 918,21* za 1 000 szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 21A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ... |
|
od PLN 2,47* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SO-8 50 V SMD 0.13 Ω (1 Oferta) Konstrukcja Infineon tranzystorów MOSFET HEXFET® wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania w celu uzyskania niskiej odporności na działanie każdego obszaru krzemu. Ta korzyść w połączeniu z duż... |
|
od PLN 2,016* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10 594,56* za 4 000 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V 0.095 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 30 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SUPERFET III Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
|
od PLN 20,645* za szt. |
|
|
|
LUGUANG ELECTRONIC LGE2304 |
od PLN 0,585* za 5 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 285 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 285 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = OptiMOS™ 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon BSC010N04LS6ATMA1 |
od PLN 14 856,55* za 5 000 szt. |
|
|