Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 936 ofert spośród 5 040 365 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,48A; 0,18W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,18W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI1302DL-T1-GE3
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 253 A PQFN 3 x 3 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 253 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1
od PLN 7,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,11A; 300mW; SC70,SOT323 (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SC70;SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja:...
Nexperia
NX3020NAKW,115
od PLN 0,184*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 25 A TO-247 700 V 0.9 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.9...
Infineon
IPW65R090CFD7XKSA1
od PLN 3 962,70*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPP410N30NAKSA1
od PLN 13,004*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26,2 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...
Vishay
SISS5710DN-T1-GE3
od PLN 3,488*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,4A; 330mW; SOT666 (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT666 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,33W Polaryzacja: unip...
Nexperia
NX3008NBKV,115
od PLN 0,36*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 282 A PG-TO263-7 60 A SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 282 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 A Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Tryb kanałowy = Rozszerz...
Infineon
IPF012N06NF2SATMA1
od PLN 5,057*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 257 A PowerPAIR 6 x 5F 30 V SMD 0.0021 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 257 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SiZF906BDT-T1-GE3
od PLN 3,242*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,33A; 0,3W; SOT323; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT323 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,3W Polary...
Diodes
DMN63D8LW-13
od PLN 0,227*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 25 A TO-3PF 600 V SMD 0.182 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-3PF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-...
ROHM Semiconductor
R6025JNZC17
od PLN 16,693*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB407N30NATMA1
od PLN 13,563*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26.5 A PowerDI3333-8 40 V SMD 0.019 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26.5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = DMT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0....
Diodes
DMT4014LDV-7
od PLN 1,055*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 288 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD 0.00115 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 288 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1
od PLN 24 916,30*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 258 A PowerPAIR 6 x 5F 30 V SMD 0.00245 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 258 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SiZF928DT-T1-GE3
od PLN 4,286*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.