| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
MOSFET N-kanałowy 26 A Rura 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny |
ROHM Semiconductor SCT4062KEC11 |
od PLN 17,965* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,182* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,00* za szt. |
|
|
|
Infineon IPN70R2K0P7SATMA1 |
od PLN 1 480,41* za 3 000 szt. |
|
|
|
|
PLN 19,60* za 10 szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 260 A HSOF-8 100 V SMD 0.0019 Ω (1 Oferta) Infineon seria OptiMOS™-5 100V N-kanałowy MOSFET samochodowy. Ma TYP PAKIETU TOLL (HSOF-8).Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Bardzo niski poziom RDS (włąc... |
Infineon IAUT260N10S5N019ATMA1 |
od PLN 6,993* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-220 600 V 120 m.Ω (1 Oferta) Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600 V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej klasie pl... |
|
od PLN 4,273* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 27 A TO-220 100 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 27 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPP026N10NF2S Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalne napięcie progowe VGS = 3... |
Infineon IPP026N10NF2SAKMA1 |
od PLN 5,318* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Pol... |
Alpha & Omega Semiconductor AOSP36326C |
od PLN 0,52* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 3 A SOT-346T 45 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie... |
ROHM Semiconductor RTR030N05HZGTL |
od PLN 1,004* za szt. |
|
|
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ... |
|
od PLN 7 404,24* za 4 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 20,938* za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 1200 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMW120R090M1HXKSA1 |
od PLN 15,974* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,957* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,50* za szt. |
|
|