Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 936 ofert spośród 5 040 365 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 26 A Rura 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = Rura Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4062KEC11
od PLN 17,965*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R125P7AUMA1
od PLN 4,182*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 124A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 81W Polaryzacja: unipolar...
Toshiba
TPH2R903PL,L1Q(M
od PLN 2,00*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPN70R2K0P7SATMA1
od PLN 1 480,41*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13,3A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13,3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7809AVTRPBF
PLN 19,60*
za 10 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 260 A HSOF-8 100 V SMD 0.0019 Ω (1 Oferta) 
Infineon seria OptiMOS™-5 100V N-kanałowy MOSFET samochodowy. Ma TYP PAKIETU TOLL (HSOF-8).Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Bardzo niski poziom RDS (włąc...
Infineon
IAUT260N10S5N019ATMA1
od PLN 6,993*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-220 600 V 120 m.Ω (1 Oferta) 
Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600 V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej klasie pl...
Infineon
IPP60R120P7XKSA1
od PLN 4,273*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 27 A TO-220 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 27 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = IPP026N10NF2S Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalne napięcie progowe VGS = 3...
Infineon
IPP026N10NF2SAKMA1
od PLN 5,318*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 12A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP36326C
od PLN 0,52*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3 A SOT-346T 45 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 45 V Typ opakowania = SOT-346T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
ROHM Semiconductor
RTR030N05HZGTL
od PLN 1,004*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13A; 2,5W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka ...
Infineon
IRF7805TRPBF
od PLN 7 404,24*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 260 A PG-TO263-7 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 260 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IPB015N08N5ATMA1
od PLN 20,938*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
od PLN 15,974*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 27,7 A PowerPak SO-8DC 100 V SMD (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 27,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PowerPak SO-8DC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8
Vishay
SIDR510EP-T1-RE3
od PLN 3,957*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,2W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SI4174DY-T1-GE3
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   1530   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.