| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282941 Nr producenta: SiZF906BDT-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 257 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0021 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.2V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 257 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | PowerPAIR 6 x 5F | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0021 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Liczba elementów na układ: | 2 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282941, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SiZF906BDTT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |