Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 994 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 31A; 22,5W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 22...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6224A
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC019N04NM5ATMA1
od PLN 4,019*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 22A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polar...
Infineon
IRFI131ONPBF
od PLN 4,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A D2PAK (TO-263) 75 V SMD 4.1 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRFS3207ZTRRPBF
od PLN 7,523*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 38,9A; Idm: 220A; 155W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 38,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 155W Polaryzacja: unip...
onsemi
FQP55N10
od PLN 4,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A PowerDI5060-8 30 V SMD 0.0032 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerDI5060-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancj...
Diodes
DMTH32M5LPSQ-13
od PLN 2,433*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 33A; Idm: 188A; 150W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja...
Nexperia
PHP45NQ10T,127
od PLN 4,75*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A TO-220AB 75 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF2907ZPBF
od PLN 7,676*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja:...
NTE Electronics
NTE2396A
od PLN 5,46*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A DPAK (TO-252) 75 V SMD 4.5 MO (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IRFS3207TRLPBF
od PLN 10,185*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF6665TRPBF
od PLN 24 326,592*
za 4 800 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPB020N08N5ATMA1
od PLN 7,765*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 30A; 19W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 19...
Alpha & Omega Semiconductor
AONS66923
od PLN 1,03*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 170 A TDSON-8 FL 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TDSON-8 FL Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ukła...
Infineon
ISC019N04NM5ATMA1
od PLN 2,599*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFX360N10T
od PLN 35,16*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   631   632   633   634   635   636   637   638   639   640   641   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.