MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 633/1 536)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 150A; 300W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...

Texas Instruments

CSD19535KCS

od PLN 8,50*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 169 A TO-263-7 60 V SMD 0.0025 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 169 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dre...

onsemi

NTBGS2D5N06C

od PLN 11,845*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 2,7A; 25W; DPAK,TO252 (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: un...

Vishay

IRLR110PBF

od PLN 0,718*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 17 A SO-8 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie M...

Vishay

SI4190BDY-T1-GE3

od PLN 5,992*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 18A; 25W; DFN5x6 (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W ...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6482

od PLN 2,43*
za szt.

Infineon IPB100N12S3-05 tranzystor 120 V (1 Oferta)

Infineon

IPB100N12S305ATMA1

od PLN 8,845*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 72ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W ...

IXYS

IXTA180N10T

od PLN 12,40*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 166 A SO-8L 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 166 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...

Vishay

SQJ162EP-T1_GE3

od PLN 4,422*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Oferta)

Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzacj...

Texas Instruments

CSD19538Q3AT

od PLN 2,20*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 17 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 3,1 W 180 miliomów (3 ofert)

MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRL640SPBF

od PLN 4,01*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 550W; TO247-3; 76ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 550...

IXYS

IXTH200N10T

od PLN 21,13*
za szt.

Infineon IPL60R125C7 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPL60R125C7AUMA1

od PLN 8,647*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 19A; 21W; TO220F (1 Oferta)

Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 21W ...

Alpha & Omega Semiconductor

AOTF4126

od PLN 2,87*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 166 A SO-8L 60 V SMD (1 Oferta)

Vishay

SQJ162EP-T1_GE3

od PLN 11 829,12*
za 3 000 szt.

Infineon BSZ440N10NS3 G tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

BSZ440N10NS3GATMA1

od PLN 1,296*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 631 632 633 634 635 636 637 638 639 640 641 .. 1536 Dalej

MOSFET (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

"MOSFET"