Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 840 994 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 21A; 25W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT2910L
od PLN 2,27*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSZ0589NSATMA1
od PLN 7 672,05*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 17 A TSDSON-8 FL 30 V SMD 0.0044 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET Infineon z zasilaniem N-Channel. Ten tranzystor MOSFET został zoptymalizowany pod kątem wydajnej ładowarki bezprzewodowej.Niska wartość FOMSW dla SMPS wysokiej częstotliwości Bard...
Infineon
BSZ0589NSATMA1
od PLN 2,406*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 1040W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,...
IXYS
IXTX200N10L2
od PLN 97,81*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD14N06S280ATMA2
od PLN 2 874,60*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 31,5A; 21,5W; DFN3.3x3.3 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 31,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasza...
Alpha & Omega Semiconductor
AONR62921
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 230A; 650W; TO247-3; 82ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 82ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650...
IXYS
IXFH230N10T
od PLN 21,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 17,4 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.205 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.2...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
od PLN 6,317*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,1 A SOT-23 100 V SMD 0.189 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,1 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SI2392ADS-T1-GE3
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 17,4 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.205 Ω (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma zestaw typu D2PAK (TO-263) o prądzie odpływowym 17.4 ANiska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i przewodze...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
od PLN 6,675*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 200A; 830W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK200N10P
od PLN 42,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 17 A TO-263-7 1200 V SMD 160 MO (1 Oferta) 
ROHM N-kanałowy tranzystor mocy MOSFET wyposażony w bardzo szybkie przełączanie i niski opór. Jest stosowany głównie w falowniku słonecznym, przetwornicy DC-DC, napędzie silnikowym i ogrzewaniu ind...
ROHM Semiconductor
SCT3160KW7TL
od PLN 25,707*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NEXPERIA Montaż: THT...
Nexperia
PSMN034-100PS,127
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 17,5 A TO-247 950 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 17,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3
Infineon
SP005547006
od PLN 1 491,2616*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 250A; 1250W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 250A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFX250N10P
od PLN 67,33*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   631   632   633   634   635   636   637   638   639   640   641   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.