Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Texas Instruments LM5101BMA/NOPB |
od PLN 10,82*
za szt. |
| |
|
Infineon FS55MR12W1M1HB11NPSA1 |
od PLN 261,229*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 19,06*
za szt. |
| |
Podwójny sterownik MOSFET IC, Nieodwracająca, 4.5 ... 18V, 1.5A, SOIC-8 (3 ofert) Podwójny sterownik MOSFET IC, Typ=MIC4427YM, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=32 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=18 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=1.5 A, Styki=8, S... |
Microchip Technology MIC4427YM |
od PLN 3,31*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 13,32*
za szt. |
| |
Moduł MOSFET N-kanałowy 12 A HiP247 1200 V 0,58 oma (1 Oferta) Tranzystor MOSFET STMicroelectronics z węglika krzemu wykorzystuje Advanced, innowacyjne właściwości materiałów o szerokim zakresie pasm. Dzięki temu nie przewyższa się rezystancja na jednostkę pow... |
ST Microelectronics SCT10N120 |
od PLN 22,25*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology CL2N3-G |
od PLN 1,54*
za szt. |
| |
Podwójny sterownik MOSFET IC, Odwracająca / Nieodwracająca, 4.5 ... 18V, 1.5A, SOIC-8 (2 ofert) Podwójny sterownik MOSFET IC, Typ=MIC4428YM-TR, Czas narastania=28 ns, Czas opadania=32 ns, Długość=5 mm, Maks. napięcie zasilania=18 V, Min. napięcie zasilania=4.5 V, Prąd wyjściowy=1.5 A, Styki=8... |
Microchip Technology MIC4428YM-TR |
od PLN 4,194*
za szt. |
| |
Infineon Technologies IPW60R190E6FKSA1 MOSFET 1 szt. (2 ofert) MOSFETy mocy INFINEON IPW_, IPZ_ TO Dane techniczne: I(d): 20.20 A · Ilość kanałów: 1 · Moc (maks) P(TOT): 151 W · Napięcie niszczące U(BR) (DSS): 600 V · R(DS) wł.: 0.19 Ω · Sposób montażu: do mon... |
|
od PLN 12,47*
za szt. |
| |
|
Infineon FS55MR12W1M1HB11NPSA1 |
od PLN 247,89*
za szt. |
| |
|
Microchip Technology CL25N3-G |
od PLN 1,52*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 8,39*
za szt. |
| |
Moduł MOSFET N-kanałowy 12 A HiP247 1200 V 0,58 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,58 om... |
ST Microelectronics SCT10N120 |
od PLN 26,603*
za szt. |
| |
Power MOSFET, SO-10, 45V (1 Oferta) Power MOSFET, Typ=VN340SPTR-E, Czas narastania=250 µs, Czas opadania=20 µs, Długość=9.6 mm, Maks. napięcie zasilania=45 V, Min. napięcie zasilania=4 V, Prąd wyjściowy=700 mA, Styki=10, Szerokość=14... |
|
od PLN 24,68*
za szt. |
| |
Moduł MOSFET N-kanałowy 20 A HiP247 1200 V 0,189 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,189 o... |
ST Microelectronics SCTWA20N120 |
od PLN 41,92*
za szt. |
| |
|
