| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025476 Nr producenta: SCT10N120 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET STMicroelectronics z węglika krzemu wykorzystuje Advanced, innowacyjne właściwości materiałów o szerokim zakresie pasm. Dzięki temu nie przewyższa się rezystancja na jednostkę powierzchni i bardzo dobre parametry przełączania są niemal niezależne od temperatury.Bardzo szybka i solidna dioda z własnym korpusem Mała pojemność Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200 V | Typ opakowania: | HiP247 | Seria: | SCT | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,58 oma | Tryb kanałowy: | Wyczerpanie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2025476, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, SCT10N120 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |