 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Diotec DI110N04PQ-AQ MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET Dane techniczne: I(d): 110 A · Moc (maks) P(TOT): 45 W · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: PowerQFN 5x6 · U(DSS): 40 V |
|
od PLN 3,19*
za szt. |
|
|
Gniazdo zasilania MOSFET, SOT-223, 55V (1 Oferta) Gniazdo zasilania MOSFET, Typ=VNN3NV04PTR-E, Czas narastania=2.5 µs, Czas opadania=2 µs, Długość=6.5 mm, Maks. napięcie zasilania=55 V, Min. napięcie zasilania=40 V, Prąd wyjściowy=3.5 A, Styki=3, ... |
|
od PLN 6,93*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPI120N08S403AKSA1 |
od PLN 806,62*
za 50 szt. |
|
|
|
Microchip Technology HV9923N3-G |
od PLN 2,78*
za szt. |
|
|
Diotec MMFTP3334K-AQ MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET Dane techniczne: I(d): -4 A · Moc (maks) P(TOT): 1 W · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · U(DSS): -30 V |
|
od PLN 0,66*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 |
od PLN 5 270,38008*
za 24 szt. |
|
|
|
Microchip Technology HV9801ALG-G |
od PLN 3,24*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 50A, TO-220AB (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=DIT050N06, Ciągły prąd drenu (Id)=50 A, Czas narastania=5.1 ns, Czas opadania=5.5 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=28.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,12*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPLU300N04S41R1XTMA1 |
od PLN 8,76*
za szt. |
|
|
|
Texas Instruments LM5100BMA/NOPB |
od PLN 8,84*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 |
od PLN 203,70*
za szt. |
|
|
|
Microchip Technology HV9923N8-G |
od PLN 2,73*
za szt. |
|
|
Diotec MMFTP3334K MOSFET 1 szt. (1 Oferta) MOSFET Dane techniczne: I(d): -4 A · Moc (maks) P(TOT): 1 W · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Temperatura pracy (maks.): 150 °C · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23 · U(DSS): -30 V |
|
od PLN 0,63*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB2U40N12W1RFB11BPSA1 |
od PLN 290,763*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,33*
za szt. |
|
|
