![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 2,22* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 13 200,60* za 3 000 szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 78 A HSOP8 40 V SMD 0.052 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z zasilaniem ROHM ma typ obudowy HSOP8. Jest on używany głównie do przełączania obciążenia.Niska rezystancja włączenia Mały zestaw do montażu powierzchniowego Bez Pb, zgodny z RoHS |
ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 |
od PLN 11 952,65* za 2 500 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,98* za 5 szt. |
|
|
|
Infineon IPD70P04P409ATMA2 |
od PLN 4,12* za szt. |
|
|
|
Microchip Technology TP2520N8-G |
od PLN 3,88* za szt. |
|
|
|
Texas Instruments CSD25402Q3A |
od PLN 1,997* za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 79 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0.019 Ω (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 79 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja... |
|
od PLN 13,80* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,48* za szt. |
|
|
|
Infineon IPD80P03P4L07ATMA2 |
od PLN 2,407* za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 78 A HSOP8 40 V SMD 0.052 Ω (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 78 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr... |
ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 |
od PLN 4,239* za szt. |
|
|
|
Infineon BSC084P03NS3GATMA1 |
od PLN 1,65021* za szt. |
|
|
MOSFET P-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic... |
|
od PLN 2,249* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,32* za szt. |
|
|
|
Infineon IPB80P04P407ATMA2 |
od PLN 4,372* za szt. |
|
|