MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 1 109/1 531)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -200V; -0,36A; 1W; DIP4 (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -0,36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipola...

Vishay

IRFD9220PBF

od PLN 2,22*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 71.9 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0112 Ω (2 ofert)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 71.9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...

Vishay

SiR681DP-T1-RE3

od PLN 13 200,60*
za 3 000 szt.

MOSFET P-kanałowy 78 A HSOP8 40 V SMD 0.052 Ω (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET z zasilaniem ROHM ma typ obudowy HSOP8. Jest on używany głównie do przełączania obciążenia.Niska rezystancja włączenia Mały zestaw do montażu powierzchniowego Bez Pb, zgodny z RoHS

ROHM Semiconductor

RS1G201ATTB1

od PLN 11 952,65*
za 2 500 szt.

Infineon IRLML6402 tranzystor 55 V (1 Oferta)

Infineon

IRLML6402TRPBF

od PLN 2,98*
za 5 szt.

MOSFET P-kanałowy 73 A PG-TO252-3-313 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 73 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO252-3-313 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPD70P04P409ATMA2

od PLN 4,12*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -200V; -0,75A; 1,6W; SOT89-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT89-3 Napięcie dren-źródło: -200V Rezystancja w stanie przewodzenia: 12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipolar...

Microchip Technology

TP2520N8-G

od PLN 3,88*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 76 A VSONP 20 V SMD 8,9e+006 Ω (1 Oferta)

Texas Instruments

CSD25402Q3A

od PLN 1,997*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 79 A DPAK (TO-252) 40 V SMD 0.019 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 79 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

Diodes

DMPH4011SK3-13

od PLN 13,80*
za 5 szt.

Infineon IRLMS6702 tranzystor 30 V (1 Oferta)

Infineon

IRLMS6702TRPBF

od PLN 0,48*
za szt.

Infineon IPD80P03P4L-07 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPD80P03P4L07ATMA2

od PLN 2,407*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 78 A HSOP8 40 V SMD 0.052 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 78 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...

ROHM Semiconductor

RS1G201ATTB1

od PLN 4,239*
za szt.

Infineon BSC084P03NS3 G tranzystor 30 V (2 ofert)

Infineon

BSC084P03NS3GATMA1

od PLN 1,65021*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 8 A SO-8 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Lic...

Vishay

SQ4917CEY-T1_GE3

od PLN 2,249*
za szt.

Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -2,4A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta)

Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W Pola...

Diodes

DMP2130L-7

od PLN 0,32*
za szt.

MOSFET P-kanałowy 80 A PG-TO263-3-2 40 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-TO263-3-2 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

IPB80P04P407ATMA2

od PLN 4,372*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 1101 1102 1103 1104 1105 1106 1107 1108 1109 1110 1111 .. 1531 Dalej

MOSFET (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

"MOSFET"