Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 957 ofert spośród 4 927 581 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTA44P15T
od PLN 14,44*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 643 ma TO-92 60 V SMD 1.5 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 643 ma Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = VP2206 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Microchip Technology
VP2206N3-G
od PLN 8,109*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 6,7 A TO-220AB 60 V Pojedynczy 43 W 500 miliomów (2 ofert) 
P-Channel MOSFET, 30 V do 80 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9Z14PBF
od PLN 2,47*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 6,5 A SO-8 20 V SMD Pojedynczy 1,6 W 52 miliomy (2 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 6,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źr...
Diodes
DMP2040USD-13
od PLN 0,574*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX120P20T
od PLN 88,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 690 mA SOT-223 100 V SMD Pojedynczy 3,1 W 1,2 oma (3 ofert) 
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFL9110TRPBF
od PLN 0,99*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 71.9 A PowerPAK SO-8 80 V SMD 0.0112 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 71.9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Vishay
SiR681DP-T1-RE3
od PLN 6,128*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 6,8 A U-DFN2020 30 V SMD 0.025 O. (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia P kanału DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania aplikacji motoryzacyjnych. Urządzenie jest zgodne z normą AEC-Q101, obsługiwaną przez pr...
Diodes
DMP3028LFDEQ-7
od PLN 1 419,93*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...
Vishay
SQM100P10-19L_GE3
od PLN 8,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -68A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 56...
IXYS
IXTH68P20T
od PLN 46,85*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 7,2 A SO-8 40 V SMD 0.062 O. (3 ofert) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SI4447ADY-T1-GE3
od PLN 0,879*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 76 A VSONP 20 V SMD 8900000 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 76 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Seria = NexFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 8...
Texas Instruments
CSD25402Q3A
od PLN 1,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -2,2A; Idm: -14A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Nexperia
PMV48XPAR
od PLN 0,81*
za szt.
 
 szt.
MOSFET P-kanałowy 60,6 A SO-8 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 60,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
Vishay
SIR4409DP-T1-RE3
od PLN 3,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -7,6A; 48W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -7,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzacja: unip...
Vishay
IRFI9540GPBF
od PLN 3,99*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1101   1102   1103   1104   1105   1106   1107   1108   1109   1110   1111   ..   1531   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.