Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "moduł"

  moduł  (76 252 ofert spośród 4 916 625 artykułów)

Podobne słowa kluczowe o zoptymalizowanej liście wyników.:
Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „moduł“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 70A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GN120J
od PLN 153,19*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 80A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 150A Zastoso...
IXYS
VUB135-22NO1
od PLN 506,97*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ACEPACK™2 Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsi...
ST Microelectronics
A2C50S65M2
od PLN 242,89*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; GJ-U (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Obudowa: GJ-U Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Prąd kolektora: 50A Zastosowanie: silniki;falownik Montaż elektryczny: prz...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG50U12GJ
od PLN 78,05*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 900A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 900A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM900GA12E4 22892130
od PLN 1 164,42*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 17A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E1-Pack Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 30A Zastosow...
IXYS
MUBW20-06A6K
od PLN 100,06*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAR12E4S 27890104
od PLN 530,31*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12V 22892113
od PLN 1 026,31*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 99A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 99A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT150GN120J
od PLN 167,05*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 29A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w impulsie: 60A Za...
Powersem
PSIS 50/06
od PLN 41,33*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAR12E4S 27890142
od PLN 1 294,01*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA12E4 22892114
od PLN 897,40*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 400A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA176D 22890432
od PLN 1 056,80*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 48A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 100A Z...
Powersem
PSIS 75/06
od PLN 55,54*
za szt.
 
 szt.
100%
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GF120JRDQ3
od PLN 352,38*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   3821   3822   3823   3824   3825   3826   3827   3828   3829   3830   3831   ..   5084   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.